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CJ2301 S1 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:112mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道
CJ2301 S1的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.3A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻112mΩ @ 2.8A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)350mW

类型P沟道

供应商CJ2301 S1
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芯莱德电子(香港)有限公司CJ2301 S1深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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CJ2301 S1连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:112mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道CJ(江苏长电/长晶)CJ(江苏长电/长晶)的LOGO464.93 Kbytes共3页CJ2301 S1的PDF下载地址
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CJ2301 S1CJ(江苏长电/长晶)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:112mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道20+:¥0.227837
200+:¥0.177857
600+:¥0.168677
2000+:¥0.159497
10000+:¥0.155417
20000+:¥0.153401